台积电3纳米芯片研发近期获得突破决定8月以第2版3纳米制程工艺投产

据联合报报道，台积电3纳米芯片研发近期获得突破，该公司决定8月以第2版3纳米制程工艺投产。

报道称，一度因开发时程延误的台积电3nm制程近期获得重大突破，延误曾导致苹果公司新一代处理器仍采用5nm加强版N4P台积电决定今年率先量产第二版3nm 制程N3B，将于今年8月于新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂 P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管架构，对决三星的环绕闸极制程

台积电的3nm 制造工艺仍将在今年晚些时候投入生产进入生产的变体被称为N3B，Digitims 预计初始产量将在每月4万至5万片之间N3B之后，很快就会有一个被称为N3E的高级变体，预计将在2023年投入生产

而产业链方面的消息还显示，芯片厂商英特尔的高管，将在本月中旬到访台积电，洽谈3nm工艺芯片的代工事宜。

声明：本网转发此文章，旨在为读者提供更多信息资讯，所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问，请与有关方核实，文章观点非本网观点，仅供读者参考。